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소재공정실험

 

 

PVD 와 CVD

PVD 와 CVD

PVD 와 CVD

 

Thin film Process and analysis

Thin film Process and analysis

Thin film Process and analysis

 

 

구 성

 

원리 및 종류 그리고 특징

1

PVD

 

원리 및 종류 그리고 특징

2

CVD

2/16

 

Thin Film Application

 

Thin Film

부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.

 

 

 

Physical Vapor Deposition

진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.

 

vaporation

E

1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.

 

2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.

 

3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨.

 

Hermal Evaporation

T

 

-beam Evaporation

E

 

Physical Vapor Deposition

높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 target이라 불리는

물질의 표면으로부터 떨어져 나오는 원자를 증착.

 

puttering

S

 

Physical Vapor Deposition

기체 상태에서 계속 가열하면, 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체가 만들어지는데 이를 Plasma라 하며 전기적으로 중성상태를 지닌다. 또한 고체, 액체, 기체와 더불어 제 4의 물질상태 라고도 불리기도 한다.

 

lasma

P

 

Physical Vapor Deposition

 

Vaporation

E

EVAPORATION

SPUTTERING

low energy atoms

higher energy atoms

high vacuum path

few collisions

line of sight deposition

little gas in film

low vacuum, plasma path

many collisions

less line of sight deposition

gas in film

larger grain size

smaller grain size

fewer grain orientations

many grain orientations

poorer adhesion

better adhesion

 

puttering

S

vs

 

Chemical Vapor Deposition

 

rinciple of CVD

P

화학기상증착법 이라 하며, 이는 반응가스를 이용하여

전구체(라디칼)가 기판위에 이동한뒤 열분해에 의한

화학반응을 거쳐 전혀다른 화합물질이 증착되는 것을 말함.

 

α (Gas) + β (Gas) + … A (Solid) + B (Gas) + …

 

반응 Energy

(열 ,플라즈마 , 빛 (UV or LASER), 또는 임의의 에…(생략)

 

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